Anpil itilizatè yo dwe tande pale sou pwodwi sib sputtering, men prensip sib sputtering yo ta dwe relativman abitye.Koulye a, editè a nanMateryèl espesyal rich (RSM) pataje prensip sputtering magnetron nan sib sputtering.
Yo ajoute yon jaden mayetik ortogonal ak jaden elektrik ant elektwòd sib sputtered (katod) ak anod la, gaz inaktif ki nesesè yo (jeneralman gaz Ar) ranpli nan chanm vakyòm segondè a, leman pèmanan an fòme yon jaden mayetik 250 ~ 350 Gauss sou. sifas la nan done yo sib, ak jaden an elektwomayetik orthogonal fòme ak jaden an wo-vòltaj elektrik.
Anba efè jaden elektrik, Ar gaz iyonize nan iyon pozitif ak elektwon.Yon sèten vòltaj segondè negatif ajoute nan sib la.Efè a nan jaden mayetik sou elektwon ki emèt nan poto a sib ak pwobabilite a ionizasyon nan k ap travay gaz ogmante, fòme yon plasma segondè-dansite tou pre katod la.Anba efè fòs Lorentz, iyon Ar akselere nan sifas sib la ak bonbard sifas sib la nan yon vitès trè wo, Atòm yo sputtered sou sib la swiv prensip konvèsyon momantòm lan epi vole lwen sifas sib la nan substra a ak gwo enèji sinetik. pou depoze fim.
Magnetron sputtering jeneralman divize an de kalite: sputtering atribitè ak RF sputtering.Prensip la nan ekipman sputtering afliyan se senp, ak pousantaj li yo tou se vit lè sputtering metal.Se RF sputtering lajman itilize.Anplis de sa nan materyèl konduktif sputtering, li kapab tou sputter materyèl ki pa kondiktif.An menm tan an, li tou fè sputtering reyaktif pou prepare materyèl oksid, nitrur, karbid ak lòt konpoze.Si yo ogmante frekans RF la, li pral tounen sputtering plasma mikwo ond.Kounye a, se souvan itilize mikwo ond mikwo ond sonorite siklotron elèktron (ECR).
Tan poste: Me-31-2022