Polysilicon se yon materyèl sib sputtering enpòtan.Sèvi ak metòd magnetron sputtering pou prepare SiO2 ak lòt fim mens ka fè materyèl la matris gen pi bon rezistans optik, dyelèktrik ak korozyon, ki se lajman ki itilize nan ekran manyen, optik ak lòt endistri yo.
Pwosesis la nan Distribisyon kristal long se reyalize solidifikasyon nan direksyon nan Silisyòm likid soti nan anba a nan tèt la piti piti pa kontwole avèk presizyon tanperati a nan aparèy chofaj la nan jaden an cho nan gwo founo dife a ingot ak dissipation nan chalè nan materyèl la izolasyon tèmik, ak la. solidifikasyon kristal long vitès se 0.8 ~ 1.2cm / h.An menm tan an, nan pwosesis solidifikasyon direksyon, efè segregasyon eleman metal nan materyèl Silisyòm ka reyalize, pi fò nan eleman metal yo ka pirifye, epi yo ka fòme yon estrikti inifòm polikristalin grenn Silisyòm.
Distribisyon polysilicon tou bezwen yo dwe entansyonèlman dope nan pwosesis pwodiksyon an, yo nan lòd yo chanje konsantrasyon nan enpurte akseptè nan fonn Silisyòm lan.Dopan prensipal la nan p-type jete polysilicon nan endistri a se alyaj Silisyòm bor mèt, nan ki kontni an bor se sou 0.025%.Se kantite lajan an dopan detèmine pa sib rezistans nan wafer Silisyòm lan.Rezistans optimal a se 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, ak konsantrasyon bor ki koresponn lan se apeprè 2 × 1014cm-3。 Sepandan, koyefisyan segregasyon bor nan Silisyòm se 0.8, ki pral montre yon sèten efè segregasyon nan pwosesis solidifikasyon direksyon an, sa. se, eleman nan bor distribye nan yon gradyan nan direksyon vètikal nan ingot la, ak rezistans nan piti piti diminye soti nan anba a nan tèt la nan ingot la.
Lè poste: 26 jiyè 2022