Magnetron sputtering kouch se yon nouvo metòd kouch vapè fizik, konpare ak metòd la pi bonè kouch evaporasyon, avantaj li yo nan anpil aspè yo byen remakab.Kòm yon teknoloji ki gen matirite, magnetron sputtering te aplike nan anpil jaden.
Prensip sputtering mayetron:
Yo ajoute yon jaden mayetik orthogonal ak jaden elektrik ant poto sib sputtered (katod) ak anod la, ak gaz inaktif ki nesesè yo (anjeneral gaz Ar) ranpli nan chanm vakyòm segondè a.Eman pèmanan an fòme yon jaden mayetik 250-350 gaus sou sifas materyèl sib la, epi jaden elektwomayetik orthogonal la konpoze ak jaden elektrik vòltaj segondè.Anba efè a nan jaden elektrik, Ar gaz ionizasyon nan iyon pozitif ak elektwon, sib epi li gen sèten presyon negatif, soti nan sib la soti nan poto a pa efè a nan jaden mayetik ak ogmantasyon nan pwobabilite iyonizasyon gaz k ap travay, fòme yon plasma dansite segondè tou pre la. katòd, Ar ion anba aksyon an nan fòs lorentz, vitès jiska vole nan sifas la sib, bonbadman sifas sib nan yon gwo vitès, Atòm yo sputtered sou sib la swiv prensip la nan konvèsyon momantòm ak vole lwen sifas la sib ak gwo sinetik. enèji nan fim nan depo substra.
Magnetron sputtering jeneralman divize an de kalite: sputtering DC ak sputtering RF.Prensip la nan ekipman DC sputtering se senp, ak pousantaj la se vit lè sputtering metal.Itilizasyon RF sputtering pi vaste, anplis sputtering materyèl konduktif, men tou sputtering materyèl ki pa kondiktif, men tou, preparasyon sputtering reyaktif nan oksid, nitrur ak carbure ak lòt materyèl konpoze.Si frekans RF ogmante, li vin mikwo ond plasma sputtering.Kounye a, se souvan itilize mikwo ond mikwo ond (ECR) sonorite elèktron siklotron.
Magnetron sputtering kouch materyèl sib:
Materyèl sib sputtering metal, materyèl kouch alyaj sputtering kouch, materyèl kouch sputtering seramik, boride seramik sputtering materyèl sib, carbure seramik sputtering sib materyèl, fliyò seramik sputtering sib materyèl, nitrid seramik sputtering materyèl sib, oksid seramik sib, selenide seramik sputtering sib materyèl, silicide seramik sib sputtering materyèl, sulfid seramik sputtering sib materyèl, Telluride seramik sib sputtering, lòt sib seramik, chromium-doped Silisyòm oksid seramik sib (CR-SiO), sib fosfid endyòm (InP), sib arsenide plon (PbAs), arsenide endyòm sib (InAs).
Tan pòs: 03-aout 2022